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LE-M5采用旋转单补偿器光学结构(PSCrA)与旋转起偏器(PrSCA)原理相结合,采用632.8nm He-Ne激光器或者半导体激光器,能在1S内完成单层镀膜的测量,具有出色的稳定性。


 LE-M5采用全新椭偏算法配合高品质相位补偿的设计方案,可以获得更出色的原始椭偏参数(ψ,Δ)精度,进而获得更为精确的折射率及膜厚。同时,该算法还能够避免普通设计所​具有的死角区,大大增加了可测膜层的范围及种类。是晶硅太阳能电池测量领域的理想选择。
 
RISE-100光谱椭偏仪均采用BV娱乐平台公司历时数年开发并完善的ElliSpec软件系统。该软件系统几乎具备所有椭偏分析功能,可以说,代表着国内的最高水准。

椭偏原理

LE-M5 应用内容

应用领域
  • 晶硅电池单层减反层(SiNx);
  • 双层膜的顶层膜厚及折射率;
  • 硅上的介质膜;
  • 玻璃镀膜(Coatings on glass);
  • 砷化镓上镀膜;
可拓展成
  • 可变入射角度 激光椭偏仪
  • 在位/ 离位 测量 激光椭偏仪
  • 双波长 激光椭偏仪
  • X-y mapping 激光椭偏仪

测量内容

  • 膜层厚度(Thickness);
  • 单点折射率(Refractivity);
  • 单点消光系数(Extinction coef)

LE-M5 技术优势





高信噪比

采用高灵敏硅光电探测,放大倍率可自由选择,同时,内置数据采集系统的缓存可有效防止采集数据的丢失。

​褪偏纠正

绒面均具有一定的褪偏效应,无论是具有米氏散射还是具有瑞利散射的绒面,均能自动进行褪偏纠正。

相位补偿

LE-M5配置了补偿器,能够使椭偏参数Δ接近180°时依然能够获得出色的测量精度,无测量死角区​。

载物台切换

 LE-M5 载物台可一键式实现水平面与倾斜面的自由切换,方便用户在单晶电池与多晶电池的同时测量需求。

LE-M5 技术规格


具体技术规格

波长

650nm(半导体激光),632.8nm(He-Ne激光)

长期稳定性

TanY = ±0.005CosD±0.005

膜厚精度

2 Å for 100 nm SiO2 on Si

折射率精度

± 2x10-3 for 100 nm SiO2 on Si

厚度范围

1nm - 3000nm

光学设计

反射式光路设计延长光程以增加测量精度,即激光经双镜面反射进入各光学器件

起偏器P、检偏器A等光学元件的最佳位置自动跟踪、以及自校准功能

量测时间

1S –5S

测量方式

能一键完成数据采集、数据即时显示、数据分析、结果输出

光斑

配置动态可调光阑

探测器

高放大倍率硅光电探测器

运动控制

集成控制系统基于PCI通讯,具有极快的响应精度及速度

驱动

标准二轴驱动

载物台

对焦方式:Manually Z

软件保护

使用ElliSpec软件系统,含USB Key 软件保护

环境

普通光学实验室环境,也可用于无尘室

所承诺技术参数完全满足如下技术参数要求:

波长

650nm (半导体激光器)632.8nm (HeNe激光器)

入射角

20-90°(5°角间隔,精度﹢/- 0.02°)

测量反射

反射

样品台

φ110mm (可配三维样品台)

测量方式

自动完成信号测量

膜层厚度

±0.5nm (薄膜厚度在10-100nm)

角度

5°入射角式多角度变换(精度 ±0.02°)

椭偏精度

Psi /- 0.03°,Del /- 0.05°

定标方式

自洽、绝对定标

电脑连接

PCI


LE-M5 软件及硬件特征

【软件特征】

功能:

数据采集及偏振态、折射及厚度数据的分析

建模及拟合处理

 

特色:

自动Excel(或PDF报表)全天候数据监控

可扩展的材料数据库

测试结果的图形反馈

多角度量测

可预先定义简洁的操作模式供工程师使用

 

【硬件规格】

微细光斑:

<<1mm≈20μm,能够检测印刷过的电池

探测时间:

0.2S ~ 1S

入射角:

35°90°(步进

控制系统:

步进

偏振系统:

格兰-泰勒(发散角<3′;消光比<0.0001

载物台:

单多晶测量直接切换

滤光:

高品质窄带滤波片


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