可拓展成
  • 可变入射角度 激光椭偏仪
  • 在位/ 离位 测量 激光椭偏仪
  • 双波长 激光椭偏仪
  • X-y mapping 激光椭偏仪
 

测量内容

  • 膜层厚度(Thickness);
  • 单点折射率(Refractivity);
  • 单点消光系数(Extinction coef)
 

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SE5000采用旋转单补偿器光学结构(PSCrA)与旋转起偏器(PrSCA)原理相结合,采用632.8nm半导体激光器,同时采用日本滨松Hamamatsu光电倍增管作为探测器,具有极强的弱光采集性能,采集电压有SE5000软件系统自动升压降压控制,具有及其出色的测量重复性及稳定性,在诸多晶硅电池厂家有出色的应用。


 SE5000同时采用全新椭偏算法配合高品质相位补偿的设计方案,以避免普通设计所​具有的死角区,可以获得更出色的原始椭偏参数(ψ,Δ)精度,同时,该算法还能够大大增加了可测膜层的范围及种类。是晶硅太阳能电池测量领域的理想选择。
 



椭偏原理

SE-5000 应用内容

应用领域
  • 晶硅电池单层减反层(SiNx);
  • 双层膜的顶层膜厚及折射率;
  • 硅上的介质膜;
  • 玻璃镀膜(Coatings on glass);
  • 砷化镓上镀膜;

SE-5000 技术优势





波长扫描式切换

SE-5000可配置单色仪使用,测试波长由用户自由定义,因此,入射光通过光纤引入后可扩展成为波长扫描式全光谱椭偏仪。

相位补偿

LE-M5配置了补偿器,能够使椭偏参数Δ接近180°时依然能够获得出色的测量精度,无测量死角区​。

高信噪比

采用日本Hamamatsu 光电倍增管探测器,放大倍率由软件自动控制,可采集极弱光强。

​褪偏纠正

绒面均具有一定的褪偏效应,无论是具有米氏散射还是具有瑞利散射的绒面,均能自动进行褪偏纠正。

SE-5000 技术规格


     波长:635nm (半导体激光), (可选  632.8nm JDSU He-Ne激光) 
     ψ、△精度: 0.015°、0.015°  (90° 时50次测量标准差)
     长期稳定性: TanPsi= ±0.005;CosDel=  ±0.005(90°超过1小时的测量)
     膜厚精度: 2Å for 100 nm SiO2 on Si
     折射率精度: 1x10-3 for 100 nm SiO2 on Si
     厚度范围: 1nm-200µm
     入射角: 自动 :7° - 90° (精度0.0072°);手动: 5° - 90°/5°
     自检: 90°自动校准;包括原始测试波形的自检
     维护: 自动的内部维护程序,检查部件是否在正常工作
     数据库: 各种电介质、薄膜、晶体及非晶半导体、金属等的NK文件
     载物台:自动对焦(可选),2D Mapping (可选)


SE-5000 软件及硬件特征

【硬件规格】

微细光斑:

<<1mm≈200μm

探测器:

Hamamatsu PMT (单次时间:0.2s ~ 1s)

入射角:

35°90°(步进

控制系统:

步进

偏振系统:

格兰-泰勒(发散角<3′;消光比<0.0001

载物台:

单多晶测量直接切换

滤光:

高品质窄带滤波片

【软件特征】

功能:

数据采集及偏振态、折射及厚度数据的分析

建模及拟合处理

 

特色:

自动Excel(或PDF报表)全天候数据监控

可扩展的材料数据库

测试结果的图形反馈

多角度量测

可预先定义简洁的操作模式供工程师使用

 


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